瀚昱能源0.7nm二硒化钨二极管问世,超越摩尔定律

图片 1

图片 2

图片 3

11月21日消息,积体电路制程突破,由成功大学物理系吴忠霖教授、国家同步辐射研究中心陈家浩博士等人组成的团队,成功研发出仅单原子层厚度且具优异逻辑开关特性的二硒化钨二极体。据团队说法,负责运算的传输电子被限定在单原子层内,将大幅降低干扰并增加运算速度,若未来应用在数位装置,运算速度预期可超过现今电脑千倍、万倍。

1月15日消息,台湾瀚昱能源林健峰博士团队整合同步辐射研究中心成功研发出了0.7nm二硒化钨二极管,这意味着人类终于打破了半导体3nm制程极限,超越了摩尔定律直接进入次纳米时代(1纳米),也揭示化合物半导体终将取代硅半导体的时代到来。

奥地利维也纳科技大学(Vienna University of Technology)的研究人员们首次开发出由二硒化钨(tungsten diselenide;WSe2)制做的二极管,根据实验显示,这种材料可被用于超薄的软性太阳能电池。

二硒化钨(WSe2)的热传导率大约是热传导率最好的钻石的10万分之一,是世界上热传导率最低的材料。奥地利维也纳科技大学的研究人员们首次开发出由二硒化钨制做的二极体,根据实验显示,这种材料可被用于超薄的软性太阳能电池。

近年来,科学家除改善集成电路之中的晶体管基本架构外,也积极寻找具有优异物理特性且能微缩至原子尺度(lt;1纳米)的晶体管材料,期望能突破3纳米的极限。

虽然石墨烯被认为是最具有发展前景的电子材料之一,但并不适合用于打造太阳能电池,这也就是为什么维也纳科技大学的研究团队们开始寻找其他类似石墨烯材料的原因,他们想找到一种能以超薄层排列但又具有更佳电子特性的材料。

二硒化钨,主要的结构是由上下各一层硒原子连接中间1层钨原子所组成。这种WSe2材料就像石墨烯一样可吸收光线,所吸收的光线可用于产生电力。这种薄层的确又轻又薄,约有95%的光线都能穿过,但其余5%的十分之一光线都会被材料吸收,并转换成电力。因此,其内部效率相当高。如果多个超薄层彼此堆叠,这种入射光线的很大一部份都能有效加以利用──但有时这种高透明度可能带来有利的副作用。

瀚昱能源林健峰博士团队运用同步辐射研究中心资源研发出仅有单原子层厚度(0.7纳米)且具优异的逻辑开关特性的二硒化钨(WSe2)二极管,并在《自然通讯Nature Communications》杂志上发表研究成果。

“石墨烯的电子状态并不是非常适用于开发太阳能电池,”Thomas Mueller说。因此,他和研究团队开始寻找其他材料──它必须类似于石墨烯,能以超薄层迭的方式排列,而且具有更好的电子特性。

本文由必发365发布于必发365官网,转载请注明出处:瀚昱能源0.7nm二硒化钨二极管问世,超越摩尔定律

TAG标签:
Ctrl+D 将本页面保存为书签,全面了解最新资讯,方便快捷。